碳化硅（SiC）已成为工业电子领域最重要的宽禁带半导体之一，由于其高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势，特别是对于大功率半导体器件，碳化硅优于硅，更受青睐。 而碳化硅（SiC）外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数直接决定着SiC器件的各项电学性能。因此，碳化硅外延技术对于碳化硅器件性能的充分发挥具有决定性的作用，是宽禁带半导体产业重要的一环。 红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度，无论硅基还是化合物半导体，且测量精度极高。 德国布鲁克（Bruker）分子光谱事业部作为世界知名的傅里叶变换红外光谱仪器生产商，已在半导体红外分析这个前沿领域拥有和积累了丰富经验。 本次直播中，来自布鲁克的红外应用专家将为大家介绍多年来Bruker FTIR光谱技术在化合物半导体（SiC，III-V族InAs，GaSb，AlSb）相关研究、应用领域的方案、经验和案例。 直播时间 9月13日 上午 10:00-11:30 直播看点 碳化硅晶体中氮施主杂质分析； 晶圆自动多点、单层或多层同质、异质外延层厚度光学无损测试和分析； III-V族化合物半导体异质结构(多量子阱，超晶格)及其红外发光、探测器件（ICL, QCL, T2SL）研发中相关光谱学应用。 讲师介绍 雷浩东 布鲁克（北京）科技有限公司分子光谱资深技术应用专家 于2013年加入布鲁克分子光谱部门，专注于高端真空、全波段系列光谱仪、时间分辨光谱及红外&拉曼显微/显微成像系统，及其在微纳米光子学、发射光谱、半导体、化合物半导体红外材料及器件（QCL，探测器等），光伏等领域的应用。